Am 13. September 2024 gab Resonac den Bau eines neuen Produktionsgebäudes für SiC-Wafer (Siliziumkarbid) für Leistungshalbleiter in seinem Werk in Higashine, Präfektur Yamagata, bekannt. Die Fertigstellung wird im dritten Quartal 2025 erwartet.
Die neue Anlage wird im Werk Yamagata der Tochtergesellschaft Resonac Hard Disk angesiedelt sein und eine Gebäudefläche von 5.832 Quadratmetern umfassen. Dort werden SiC-Wafer (Substrate und Epitaxie) hergestellt. Im Juni 2023 erhielt Resonac vom Ministerium für Wirtschaft, Handel und Industrie die Zertifizierung im Rahmen des Versorgungssicherungsplans für wichtige Materialien gemäß dem Gesetz zur Förderung der wirtschaftlichen Sicherheit, insbesondere für Halbleitermaterialien (SiC-Wafer). Der vom Ministerium für Wirtschaft, Handel und Industrie genehmigte Versorgungssicherungsplan sieht Investitionen in Höhe von 30,9 Milliarden Yen vor, um die Produktionskapazitäten für SiC-Wafer an den Standorten Oyama (Präfektur Tochigi), Hikone (Präfektur Shiga), Higashine (Präfektur Yamagata) und Ichihara (Präfektur Chiba) zu stärken. Die Förderung beträgt bis zu 10,3 Milliarden Yen.
Geplant ist, ab April 2027 SiC-Wafer (Substrate) an die Städte Oyama, Hikone und Higashine zu liefern. Die jährliche Produktionskapazität beträgt 117.000 Stück (entspricht 6 Zoll). Die Lieferung von SiC-Epitaxie-Wafern an die Städte Ichihara und Higashine soll im Mai 2027 beginnen, mit einer voraussichtlichen jährlichen Kapazität von 288.000 Stück (unverändert).
Am 12. September 2024 veranstaltete das Unternehmen eine Grundsteinlegung auf dem geplanten Baugelände des Werks in Yamagata.
Veröffentlichungsdatum: 16. September 2024